Samsung ElectronicsとAMDは2026年3月18日、韓国・平澤にあるSamsungの最先端半導体製造施設で、次世代AIメモリおよびコンピューティング技術に関する戦略的協業の覚書（MoU）を締結しました。AMD会長兼CEOのLisa Su氏とSamsung Electronics副会長兼CEOのJun Young-hyun氏が出席する中での調印となりました。
今回のMoUでは、AMD Instinct MI455X GPUへのHBM4メモリの主要供給、および第6世代AMD EPYC CPU「Venice」向けの先進DRAMソリューションの提供が含まれています。SamsungのHBM4は最先端の第6世代10ナノメートル級DRAMプロセスと4nmロジックベースダイで製造され、最大13Gbps（ギガビット毎秒）の処理速度と3.3TB/s（テラバイト毎秒）の帯域幅を実現します。
さらに両社は、Samsung Foundryが次世代AMD製品のファウンドリサービスを提供する可能性についても協議を進めています。SamsungとAMDはグラフィックス、モバイル、コンピューティング技術で約20年にわたる協業実績があり、現行のAMD Instinct MI350X/MI355Xアクセラレータ向けHBM3EもSamsungが主要パートナーとなっています。
Hacker Newsでは「NVIDIA一強への対抗軸形成」との業界分析が見られ、X上ではHBM技術の進化がAI性能のボトルネック解消につながるとの期待が広がっています。AI半導体市場でのNVIDIA支配に対し、AMDとSamsungの連携が新たな選択肢を提供する可能性があります。